PY32F002BW15

表 5-11 外部高速時鐘特性

符號

參數(shù)(1)

較小值

典型值

較大值

單位

fHSE_ext

用戶外部時鐘頻率

0

4

32

MHz

VHSEH

輸入引腳高電平電壓

0.7*VCC

VCC

V

VHSEL

輸入引腳低電平電壓

Vss

0.3*VCC

V

tW(HSEH)

tW(HSEL)

輸入高或低的時間

15

ns

tr(HSE)

tf(HSE)

輸入上升/下降的時間

-

20

ns

（

3） 由設(shè)計保證，不在生產(chǎn)中測試。

5.3.6.2. 外部低速時鐘

在 LSE 的 bypass 模式(RCC_BDCR 的 LSEBYP 置位)，芯片內(nèi)的低速起振電路停止工作，相應(yīng)的 IO 作為

標(biāo)準(zhǔn)的 GPIO 使用。

t

10%

tr(LSE)

TLSE

tf(LSE)

Tw(LSEH)

Tw(LSEL)

VLSEH

VLSEL

圖 5-2 外部低速時鐘時序圖

表 5-12 外部低速時鐘特性

符號

參數(shù)(1)

較小值

典型值

較大值

單位

fLSE_ext

用戶外部時鐘頻率

32.768

1000

KHz

VLSEH

輸入引腳高電平電壓

0.7*VCC

V

VLSEL

輸入引腳低電平電壓

0.3*VCC

V

tW(LSEH)

tW(LSEL)

輸入高或低的時間

450

ns

tr(LSE)

tf(LSE)

輸入上升/下降的時間

-

50

ns

（1） 由設(shè)計保證，不在生產(chǎn)中測試。

5.3.6.3. 外部低速晶體

可以通過外接 32.768KHz 的晶體/陶瓷諧振器。在應(yīng)用中，晶體和負(fù)載電容應(yīng)該盡可能靠近管腳，這樣可以

使輸出變形和啟動穩(wěn)定時間較小化。

表 5-13 外部低速晶體特性

符號

參數(shù)

條件(1)

較小值

典型值

較大值

單位

IDD(4)

LSE_DRIVER [1:0] = 00

100

nAPY32F002B Datasheet

35/50

符號

參數(shù)

條件(1)

較小值

典型值

較大值

單位

LSE 功耗

LSE_DRIVER [1:0] = 01

700

LSE_DRIVER [1:0] = 10

1200

LSE_DRIVER [1:0] = 11

1600

tSU(LSE)(3) (4)

啟動時間

3

s

（1） 晶體/陶瓷諧振器特性基于制造商給出的數(shù)據(jù)手冊。

（

2） 由設(shè)計保證，不在生產(chǎn)中測試。

（

3）

tSU(LSE)是從啟用(通過軟件)到時鐘振蕩達(dá)到穩(wěn)定的啟動時間，針對標(biāo)準(zhǔn)晶體/諧振器測量的，不同晶體/

諧振器可能會有很大差異

（

4） 數(shù)據(jù)基于考核結(jié)果，不在生產(chǎn)中測試。