PY32F002BD15

內部高頻時鐘源 HSI 特性

表 5-14 內部高頻時鐘源特性

符號

參數

條件

較小值

典型值

較大值

單位

fHSI

HSI 頻率

TA = 25°C,VCC = 3.3V

23.83(2)

24

24.17(2)

MHz

47.66(2)

48

48.34(2)

ΔTemp(HSI)

HSI 頻率溫度漂移

24MHz

VCC = 2.0V ~ 5.5V

TA = -40°C ~ 85°C

-2 (2)

2 (2)

%

VCC = 1.7V ~ 5.5V

TA = 0°C ~ 85°C

-2 (2)

2 (2)

VCC = 1.7V ~ 5.5V

TA = -40°C ~ 85°C

-4 (2)

2 (2)

fTRIM(1)

HSI 微調精度

0.1

%

DHSI(1)

占空比

45

55

%

tStab(HSI)

HSI 穩定時間

2

4 (1)

μs

IDD(HSI) (2)

HSI 功耗

24MHz

193

μA

（1） 由設計保證，不在生產中測試。

（

2） 數據基于考核結果，不在生產中測試。

5.3.8. 內部低頻時鐘源 LSI 特性

表 5-15 內部低頻時鐘特性

符號

參數

條件

較小值

典型值

較大值

單位

fLSI

LSI 頻率

TA = 25°C,VCC = 3.3V

31.6

32.6

33.6

KHz

ΔTemp(LSI)

LSI 頻率溫度漂移

VCC = 1.7V ~ 5.5V

TA = 0°C ~ 85°C

-10(2)

10(2)

%

VCC = 1.7V ~ 5.5V

TA = -40°C ~ 85°C

-20(2)

20(2)PY32F002B Datasheet

36/50

符號

參數

條件

較小值

典型值

較大值

單位

fTRIM(1)

LSI 微調精度

0.2

%

tStab(LSI) (1)

LSI 穩定時間

150

μs

IDD(LSI) (1)

LSI 功耗

210

nA

（1） 由設計保證，不在生產中測試。

（

2） 數據基于考核結果，不在生產中測試。

5.3.9. 存儲器特性

表 5-16 存儲器特性

符號

參數

條件

典型值

較大值(1)

單位

tprog

Page program

-

1.0

1.5

ms

tERASE

Page/sector/mass erase

-

3.5

5.0

ms

IDD

Page programe

2.1

2.9

mA

Page/sector/mass erase

2.1

2.9

（1） 由設計保證，不在生產中測試。